Transistor Darlington, MC1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común

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Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente Máxima Continua del Colector	500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor	50 V
Tensión Máxima Emisor-Base	5 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	16
Configuración de transistor	Emisor común
Número de Elementos por Chip	7
Ganancia Mínima de Corriente DC	1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor	1,6 V
Longitud	10mm
Dimensiones	10 x 4 x 1.5mm
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Ancho	4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+85 °C