Transistor Darlington, NJD35N04T4G, NPN 4 A, 350 V, HFE:2000, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

Código RS:: 806-5046P
Nº ref. fabric.:: NJD35N04T4G
Fabricante:: onsemi

Transistor Darlington, NJD35N04T4G, NPN 4 A, 350 V, HFE:2000, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

Subtotal (1 bobina de 25 unidades)**. Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Código RS:: 806-5046P
Nº ref. fabric.:: NJD35N04T4G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente Máxima Continua del Colector	4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	350 V
Tensión Máxima Emisor-Base	5 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Configuración de transistor	Simple
Número de Elementos por Chip	1
Ganancia Mínima de Corriente DC	2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor	2 V
Tensión Base Máxima del Colector	700 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor	1,5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector	250mA
Disipación de Potencia Máxima	45 W
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.73mm
Altura	2.38mm
Ancho	7.49mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Dimensiones	6.73 x 7.49 x 2.38mm

Transistor Darlington, NJD35N04T4G, NPN 4 A, 350 V, HFE:2000, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

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