Transistor, PMBT2907A,215, PNP -600 mA -60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 200 MHz, Simple
- Código RS:
- 151-2827
- Nº ref. fabric.:
- PMBT2907A,215
- Fabricante:
- Nexperia
2750 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 250)
0,064 €
(exc. IVA)
0,077 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 0,064 € | 16,00 € |
| 500 - 1000 | 0,061 € | 15,25 € |
| 1250 - 2250 | 0,032 € | 8,00 € |
| 2500 + | 0,03 € | 7,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-2827
- Nº ref. fabric.:
- PMBT2907A,215
- Fabricante:
- Nexperia
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
VCEO de hasta 60 V y CI de hasta 800 mA. Con tiempos de almacenamiento más cortos y una reducción significativa de los tiempos de conmutación, nuestros transistores de conmutación NPN y PNP le proporcionan una ventaja de diseño. Puede elegir entre una gran cartera de dispositivos, con diferentes opciones de encapsulado, incluidos tamaños pequeños y ultrapequeños. Excelente para desplazadores de nivel lógico, así como para conmutación de uso general.
Tiempo de almacenamiento corto
Encapsulados pequeños y ultrapequeños
VCEO de hasta 40 V para transistores NPN (- 60 V para tipos PNP)
Rango de CI de hasta 800 mA
Encapsulados pequeños y ultrapequeños
VCEO de hasta 40 V para transistores NPN (- 60 V para tipos PNP)
Rango de CI de hasta 800 mA
Transistor de conmutación PNP de 60 V y 600 mA. Transistor de conmutación PNP en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB). Complemento NPN PMBT2222A, variante PMBT2907 de 40 V
Transistor de conmutación individual de uso general
Certificación AEC-Q101
Certificación AEC-Q101
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | PNP |
| Corriente DC Máxima del Colector | -600 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | -60 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 (TO-236AB) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 250 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 75 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | -60 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | -5 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 200 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 3 x 1.4 x 1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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