Transistor, BC847BDW1T1G, NPN 100 mA 45 V SOT-363, 6 pines, 100 MHz, Aislado

Código RS:: 178-7595
Nº ref. fabric.:: BC847BDW1T1G
Fabricante:: onsemi

Transistor, BC847BDW1T1G, NPN 100 mA 45 V SOT-363, 6 pines, 100 MHz, Aislado

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22250 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,027 €

(exc. IVA)

0,033 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,027 €	81,00 €
6000 +	0,025 €	75,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-7595
Nº ref. fabric.:: BC847BDW1T1G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

BC847BDW1T1G

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistores NPN de pequeña señal, ON Semiconductor

Estándares

Los números de referencia del fabricante con prefijo S o NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101.

EL on Semiconductor BC847BDW1T1G es el doble transistor de uso general. Estos transistores están diseñados para aplicaciones de amplificador de uso general. Están alojados en el SOT−363/SC−88 que está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie de baja potencia.

Sin halógenos
Sin plomo
En conformidad con RoHS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente DC Máxima del Colector	100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor	45 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima	380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC	200
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Base Máxima del Colector	50 V
Tensión Máxima Emisor-Base	6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento	100 MHz
Conteo de Pines	6
Número de Elementos por Chip	1
Dimensiones	0.9 x 2 x 1.25mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C