Transistor, MJD44H11-1G, NPN 8 A 80 V dc DPAK (TO-252), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple
- Código RS:
- 184-4311
- Nº ref. fabric.:
- MJD44H11-1G
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 09/07/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 75)
0,43 €
(exc. IVA)
0,52 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 75 - 675 | 0,43 € | 32,25 € |
| 750 - 1425 | 0,373 € | 27,975 € |
| 1500 + | 0,364 € | 27,30 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 184-4311
- Nº ref. fabric.:
- MJD44H11-1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
El transistor de potencia bipolar está diseñado para la salida de potencia y conmutación de uso general o etapas de controlador en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.
Plomo formado para aplicación de montaje superficial en manguitos de plástico (sin sufijo)
Versión de cable recto en fundas de plástico ("-1" Sufijo)
Versión con formación de plomo en cinta de 16 mm y molinete para montaje en superficie ("T4" Sufijo)
Eléctricamente similar a la popular serie D44H/D45H.
Emisor de colector bajo Voltaje de saturación VCE (sat) = 1,0 Volt Max @ 8,0 Amperes
Velocidades de conmutación rápidas
Pares Complementarios Simplifica los Diseños
Estos dispositivos son libres de Pb-Free
Versión de cable recto en fundas de plástico ("-1" Sufijo)
Versión con formación de plomo en cinta de 16 mm y molinete para montaje en superficie ("T4" Sufijo)
Eléctricamente similar a la popular serie D44H/D45H.
Emisor de colector bajo Voltaje de saturación VCE (sat) = 1,0 Volt Max @ 8,0 Amperes
Velocidades de conmutación rápidas
Pares Complementarios Simplifica los Diseños
Estos dispositivos son libres de Pb-Free
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 8 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 80 V dc |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 60 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V dc |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 1 MHz |
| Conteo de Pines | 3 + Tab |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 6.73 x 2.38 x 6.22mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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