Transistor, BCW66GLT1G, NPN 800 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
- Código RS:
- 186-8676
- Nº ref. fabric.:
- BCW66GLT1G
- Fabricante:
- onsemi
2750 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
0,033 €
(exc. IVA)
0,04 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 50 - 50 | 0,033 € | 1,65 € |
| 100 - 950 | 0,014 € | 0,70 € |
| 1000 - 2950 | 0,014 € | 0,70 € |
| 3000 - 8950 | 0,014 € | 0,70 € |
| 9000 + | 0,013 € | 0,65 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 186-8676
- Nº ref. fabric.:
- BCW66GLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 800 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 45 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 160 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 75 V dc |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V dc |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 100 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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