Transistor, HFA3096BZ, NPN/PNP 65 mA 8 V Pent SOIC, 16 pines

La Renesas Electronics HFA3096 es una matriz de transistores de ultra alta frecuencia fabricada con el proceso UHF-1 bipolar complementario Renesas. El HFA3096 es una combinación NPN-PNP. Se proporciona acceso a cada uno de los terminales para los transistores individuales para una máxima flexibilidad de aplicación. La construcción monolítica de estas matrices de transistores proporciona un ajuste eléctrico y térmico cercano de los cinco transistores

Transistor NPN (FT) 8GHz
La ganancia de corriente NPN (HFE) es de 130 A.
La tensión temprana NPN (VA) es de 50V V.
El transistor PNP (FT) es 5,5GHz
La ganancia de corriente PNP (HFE) es de 60 A.
La tensión temprana PNP (VA) es de 20V V.
La cifra de ruido (50Ω) a 1,0GHz es de 3,5dB dB
Fuga del colector al colector <1pA
Aislamiento completo entre transistores