Transistor bipolar de RF, BFP640H6327XTSA1, NPN 50 mA 4,1 V SOT-343

El transistor RF bipolar de banda ancha (HBT) NPN de heterojunción de carbón de germanio de silicio (SiGe:C) de Infineon en un encapsulado estándar de dos emisores de plástico con cables visibles. El dispositivo está equipado con circuitos de protección internos, que mejoran la robustez contra ESD y la alta potencia de entrada RF. El dispositivo combina robustez con una ganancia de RF muy alta y una cifra de ruido más baja a baja corriente de funcionamiento para su uso en una amplia gama de aplicaciones inalámbricas. El BFP640ESD es especialmente adecuado para aplicaciones portátiles alimentadas por batería en las que el consumo de potencia reducido es un requisito clave. El diseño del dispositivo admite tensiones de colector de hasta 4,1 V.

Amplificador de bajo ruido de alto rendimiento y robusto basado en la fiabilidad de Infineon
Robustez ESD de 2 kV (HBM) gracias a los circuitos de protección integrados
Alta potencia de entrada RF máxima de 21 dBm