Transistor bipolar de RF, BFP840ESDH6327XTSA1, NPN 35 mA 2,25 V SOT-343
- Código RS:
- 259-1453
- Nº ref. fabric.:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 10/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,172 €
(exc. IVA)
0,208 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 3000 - 3000 | 0,172 € | 516,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,163 € | 489,00 € |
| 9000 + | 0,153 € | 459,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 259-1453
- Nº ref. fabric.:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El transistor bipolar discreto de heterounión (HBT) de Infineon está diseñado específicamente para banda de 5 GHz de alto rendimiento. Se trata de sistemas de comunicación por satélite, radio por satélite (SDAR, DAB), sistemas de navegación (por ejemplo, GPS, Glonass, Beidou, Galileo).
Alta ganancia Gms de 22,5 dB a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
OIP3 22 dBm a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
IC máx. +35 mA
OIP3 22 dBm a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
IC máx. +35 mA
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 35 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 2,25 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-343 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
- Código RS:
- 259-1453
- Nº ref. fabric.:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Enlaces relacionados
- Transistor bipolar de RF NPN 80 mA 10 V SOT-343
- Transistor bipolar de RF NPN 50 mA 10 V SOT-343
- Transistor bipolar de RF NPN 150 mA 20 V SOT-343
- Transistor bipolar de RF NPN 50 mA 13 V SOT-343
- Transistor bipolar de RF NPN 150 mA 13 V SOT-343
- Transistor bipolar de RF NPN 55 mA 2 4 pines
- Transistor bipolar de RF NPN 35 mA 2 4 pines Simple
- Transistor bipolar de RF NPN 35 mA 2,25 V TSLP-3-9