Transistor bipolar de RF, BFR93AE6327HTSA1, NPN 90 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 6 GHz, Simple

Código RS:: 892-2365P
Nº ref. fabric.:: BFR93AE6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

Transistor bipolar de RF, BFR93AE6327HTSA1, NPN 90 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 6 GHz, Simple

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Código RS:: 892-2365P
Nº ref. fabric.:: BFR93AE6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

BFR93A, Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente DC Máxima del Colector	90 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor	12 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima	300 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Base Máxima del Colector	20 V
Tensión Máxima Emisor-Base	2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento	6 GHz
Conteo de Pines	3
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Dimensiones	2.9 x 1.3 x 1mm

Transistor bipolar de RF, BFR93AE6327HTSA1, NPN 90 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 6 GHz, Simple

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Transistores bipolares RF, Infineon