MOSFET Infineon IPW60R190E6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
110-7443
Nº ref. fabric.:
IPW60R190E6FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

440 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

151 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Ancho

5.21mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

63 nC a 10 V

Longitud

16.13mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Altura

21.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Serie

CoolMOS E6

Tensión de diodo directa

0.9V

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