MOSFET Infineon IPW60R190E6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 110-7443
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R190E6FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible
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- Código RS:
- 110-7443
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R190E6FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 440 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 151 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Ancho | 5.21mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 63 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Serie | CoolMOS E6 | |
| Altura | 21.1mm | |
| Tensión de diodo directa | 0.9V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 20 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 440 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 3.5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V | ||
Disipación de Potencia Máxima 151 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Longitud 16.13mm | ||
Ancho 5.21mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 63 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Serie CoolMOS E6 | ||
Altura 21.1mm | ||
Tensión de diodo directa 0.9V | ||
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