Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.
Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.
Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.
Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.
Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.
Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.