MOSFET Infineon IRL2203NPBF, VDSS 30 V, ID 116 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
540-9985
Nº ref. fabric.:
IRL2203NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

116 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

180 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +16 V

Longitud

10.54mm

Ancho

4.69mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

8.77mm

Serie

HEXFET

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.


Transistores MOSFET, Infineon


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