Name: MOSFET Infineon IRF7342PBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Brand: Infineon
SKU: 541-1764
Price: 2.66 EUR
Availability: Discontinued

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,4 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
	Tipo de Encapsulado	SOIC
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	105 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	1V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1V
	Disipación de Potencia Máxima	2 W
	Configuración de transistor	Aislado
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Longitud	5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Número de Elementos por Chip	2
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	26 nC a 10 V
	Material del transistor	Si
	Ancho	4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Serie	HEXFET
	Altura	1.5mm

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 3,4 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
	Tipo de Encapsulado SOIC
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 105 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 1V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1V
	Disipación de Potencia Máxima 2 W
	Configuración de transistor Aislado
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Longitud 5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Número de Elementos por Chip 2
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 26 nC a 10 V
	Material del transistor Si
	Ancho 4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Serie HEXFET
	Altura 1.5mm

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7342TRPBF

Este MOSFET de potencia está destinado a la gestión eficiente de la energía en diversos dispositivos electrónicos. Con una configuración de canal P, es adecuado para operaciones de conmutación y amplificación de alto rendimiento. Sus sólidas especificaciones satisfacen los requisitos esenciales de ingenieros y diseñadores de los sectores de la automatización y la electricidad.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A

• Tolerancia de tensión de la fuente de drenaje de hasta 55 V

• El diseño de montaje en superficie permite instalaciones sencillas

• La baja resistencia máxima de drenaje-fuente mejora la eficiencia energética

• Tensión umbral de puerta de 1 V para una conmutación fiable

Aplicaciones

• Circuitos de gestión de potencia para un mejor aprovechamiento de la energía

• Equipos de automatización que requieren una gran capacidad de conmutación

• Adecuado para sistemas de control de motores

• Utilizados en convertidores de potencia para electrónica

• Común en los sistemas de gestión de baterías

¿Cuáles son los límites térmicos de funcionamiento?

Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Cómo mejora este componente la eficiencia del circuito?

El bajo valor de Rds(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando así la eficiencia global del circuito.

¿Puede este MOSFET manejar corrientes pulsadas?

Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 27 A, adecuadas para condiciones transitorias.

¿En qué tipo de envase está disponible?

Está disponible en un encapsulado de montaje superficial SO-8, lo que optimiza la flexibilidad de diseño y los procesos de fabricación.

¿Existe un voltaje de puerta específico para un rendimiento óptimo?

Lo ideal es que la tensión entre la puerta y la fuente se mantenga en ±20 V para obtener un rendimiento y una longevidad óptimos del dispositivo.