IGBT

Los transistores IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) son semiconductores utilizados principalmente como dispositivos de conmutación para permitir o detener el flujo de energía. Tienen numerosas ventajas como resultado de ser un cruce entre dos de los transistores más habituales, el MOSFET y los transistores bipolares. RS tiene una amplia gama de IGBT de marcas de confianza, como Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics y muchas más.

¿Cuáles son las aplicaciones típicas de los IGBT?

Los IGBT se utilizan ampliamente en aplicaciones electrónicas, como la electrónica de consumo, la tecnología industrial, el transporte y los motores eléctricos, los dispositivos electrónicos aeroespaciales y las aplicaciones del sector energético:

• Motores eléctricos
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
• Instalaciones de panel solar
• Soldadores
• Convertidores e inversores de potencia
• Cargadores de inducción
• Placas de inducción

¿Cómo funcionan los transistores IGBT?

Los transistores IGBT son dispositivos de tres terminales que aplican una tensión a un semiconductor, cambiando sus propiedades para bloquear el flujo de energía entre el Colector y el Emisor cuando está en estado apagado y permitir el flujo de energía en estado encendido. Están controlados por una estructura de semiconductor de óxido metálico llamada Puerta y se utilizan ampliamente para conmutar la energía eléctrica en aplicaciones como soldadores, coches eléctricos, aparatos de aire acondicionado, trenes y sistemas de alimentación ininterrumpida.

¿Cuáles son los diferentes tipos de transistores IGBT?

Existen varios tipos de transistores IGBT y se clasifican en función de parámetros como la tensión máxima, la corriente del colector, el tipo de encapsulado y la velocidad de conmutación. El tipo de transistor IGBT que elija variará en función del nivel de potencia exacto y de las aplicaciones que se estén considerando.

¿Qué diferencia hay entre los MOSFET y los IGBT?

El transistor IGBT es un componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET. Su estructura es casi idéntica a la de un MOSFET, excepto el adicional sustrato p debajo del sustrato N.Los IGBT son muy eficientes y de rápida conmutación, además de tener características de alta corriente y baja tensión de saturación.