Circuito STEVAL-DPSTPFC1
El circuito STEVAL-DPSTPFC1 de 3.6kW con configuración Totem pole logra una corrección digital del factor de potencia.
Carburo de silicio
Los componentes SiC, compuestos de carburo de silicio, también conocido como carburindón o carborundo, ofrecen beneficios considerables sobre la tecnología de silicio tradicional, como una mayor potencia, mejor refrigeración y un tamaño más pequeño.
Esto hace que el carburo de silicio sea perfecto para aplicaciones de gestión de energía dentro de la generación, conversión, distribución y almacenamiento. Estas ganancias de eficiencia y los beneficios del tamaño de los componentes ayudarán a ofrecer diseños de productos más sostenibles.
En RS continuamos ampliando nuestra gama de componentes de SiC de marcas como:
- Infineon.
- Onsemi.
- STMicroelectronics.
- ROHM.
La mejor selección de productos de Carburo de silicio
Convertidor STEVAL-ISA211V1
Este convertidor está diseñado para uso en fuente de alimentación auxiliar, junto con SCT1000N170 SiC, en aplicaciones de carga EV.
MOSFETs de carburindón de ST
Los MOSFET de potencia de SiC se caracterizan por su baja resistencia a la conexión y un alto rendimiento de conmutación.
Diodos SiC de ST
Los diodos SiC Schottky de ST presentan una importante reducción de la pérdida de potencia, ideales para aplicaciones de conmutación.
MOSFET SiC de onsemi
Los MOSFETs SiC de onsemi permiten reducir la pérdida de potencia, mejorar la frecuencia de conmutación y trabajar a mayor potencia.
Diodos SiC de onsemi
Los diodos SiC de onsemi incluyen versiones con certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción e industriales.
Controlador Sic 2ASC-12A1HP 12
El núcleo del controlador SiC de alto rendimiento de doble canal AgileSwitch 1200V de Microchip mejora los sistemas de potencia SiC MOSFET.
Controlador 2ASC-17A1HP 1700V
El núcleo del controlador SiC de alto rendimiento de doble canal AgileSwitch 1700V de Microchip mejora los sistemas de potencia SiC MOSFET.
MOSFETs SiC de Infineon
Los MOSFETs SiC Colic™ de Infineon se fabrican con un proceso de última generación que ayuda a combinar el rendimiento con la fiabilidad
Diodos SiC de Infineon
Los diodos Schottky CoolSiC™ de carborundio de Infineon pueden alcanzar una tensión de ruptura mucho mayor del rango de 600 V a 1200 V.
Kit EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1
Es una solución para mejorar el factor de potencia gracias a componentes como MOSFET de potencia CoolSiC™ y CoolMOS™ y controlador XMC™.
MOSFETs SiC de Rohm
Los MOSFET SiC se caracterizan por tensiones más elevadas, mejor refrigeración y mucho más pequeños que los MOSFETS convencionales.