El MOSFET Infineon de SiC de 30 mo se ha construido sobre un estado del proceso de semiconductor Trench que ha ayudado a combinar rendimiento y fiabilidad. Se puede utilizar en soluciones para sistemas de energía solar, carga de tensión de electrones, fuente de alimentación ininterrumpida (SAI), fuentes de alimentación, control de motores y unidades y muchas otras aplicaciones.
Diodo de cuerpo potente para conmutación dura DV/dt completamente controlable Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo Amplio rango de tensión de fuente de puerta