Amplificador operacional TSU111IQ1T Baja Potencia, 5 V 11.5kHz CMOS DFN, 6 pines, Entrada / salida Rail-to-Rail
- Código RS:
- 162-3611
- Nº ref. fabric.:
- TSU111IQ1T
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
1,073 €
(exc. IVA)
1,298 €
(inc.IVA)
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
3000 + | 1,073 € | 3.219,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 162-3611
- Nº ref. fabric.:
- TSU111IQ1T
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El amplificador operativo TSU111 ofrece un consumo de energía ultrabajo típico de 900 nA y máximo de 1,2 μA cuando recibe una alimentación de 3,3 V. Si le añadimos el rango de tensión de alimentación de 1,5 V a 5,5 V, estas características permiten que el TSU111 pueda alimentarse de forma eficaz con una pila de botón de litio o una tensión regulada en aplicaciones de baja potencia. La alta precisión de 150 μV máx. y la ganancia por ancho de banda de 11,5 kHz convierten al TSU111 en la solución ideal para aplicaciones de acondicionamiento de señales de sensores, alimentadas por batería y portátiles
Consumo de corriente extremadamente bajo: Icc = 900 nA típ. a 25 °C
Tensión de offset baja: 150 μV máx. a 25 °C, 235 μV máx. en todo el rango de temperatura (–40 a 85 °C)
Bajo nivel de ruido en el ancho de banda de 0,1 a 10 Hz: 3,6 μVpp
Tensión de alimentación baja: 1,5 V-5,5 V
Entrada y salida de carril a carril
Producto de ganancia por ancho de banda: 11,5 kHz típ.
Corriente de polarización de entrada baja: 10 pA máx. a 25 °C
Alta tolerancia a ESD: 4 kV HBM
Tensión de offset baja: 150 μV máx. a 25 °C, 235 μV máx. en todo el rango de temperatura (–40 a 85 °C)
Bajo nivel de ruido en el ancho de banda de 0,1 a 10 Hz: 3,6 μVpp
Tensión de alimentación baja: 1,5 V-5,5 V
Entrada y salida de carril a carril
Producto de ganancia por ancho de banda: 11,5 kHz típ.
Corriente de polarización de entrada baja: 10 pA máx. a 25 °C
Alta tolerancia a ESD: 4 kV HBM
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Amplificador | Baja Potencia |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | DFN |
Tipo de Fuente de Alimentación | Único |
Número de Canales por Chip | 1 |
Conteo de Pines | 6 |
Tensión de Alimentación Única Típica | 5 V |
Producto de Ancho de Banda de Ganancia Típica | 11.5kHz |
Tipo de Salida | CMOS |
Slew Rate Típico | 2.7V/ms |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Raíl a Raíl | Entrada / salida Rail-to-Rail |
Tensión Máxima de Entrada | 5,5 V |
Ganancia de Tensión Típica | 135 DB |
Offset Voltage | 235µV |
Corriente de Salida | 41 mA, 45 mA |
Densidad Típica de Ruido de Tensión de Entrada | 220nV/√Hz |
Altura | 0.36mm |
Ancho | 1.3mm |
Rango de Tensión de Entrada | 1,5 → 5,5 V |
Tensión de Entrada Mínima | 1,5 V |
Corriente de offset de entrada | 0.05nA |
Dimensiones | 1.2 x 1.3 x 0.36mm |
Longitud | 1.2mm |
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