Amplificador operacional NJM2058V-TE1 Nisshinbo Micro Devices SSOP-14 18V, 14 pines
- Código RS:
- 248-4237
- Nº ref. fabric.:
- NJM2058V-TE1
- Fabricante:
- Nisshinbo Micro Devices
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,44 € | 7,20 € |
| 10 - 95 | 1,368 € | 6,84 € |
| 100 - 245 | 1,306 € | 6,53 € |
| 250 - 495 | 1,232 € | 6,16 € |
| 500 + | 1,172 € | 5,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 248-4237
- Nº ref. fabric.:
- NJM2058V-TE1
- Fabricante:
- Nisshinbo Micro Devices
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nisshinbo Micro Devices | |
| Tipo de producto | Amplificador operacional | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SSOP-14 | |
| Número de canales | 4 | |
| Número de pines | 14 | |
| Tensión de alimentación máxima | 18V | |
| Tensión de alimentación mínima | 18V | |
| Slew Rate | 1V/μs | |
| Tensión de offset de entrada VOS | 0.5 mV | |
| Corriente de polarización de entrada | 20 → 500 nA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Serie | NJM2058 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de offset de entrada | 5 → 200 nA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nisshinbo Micro Devices | ||
Tipo de producto Amplificador operacional | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SSOP-14 | ||
Número de canales 4 | ||
Número de pines 14 | ||
Tensión de alimentación máxima 18V | ||
Tensión de alimentación mínima 18V | ||
Slew Rate 1V/μs | ||
Tensión de offset de entrada VOS 0.5 mV | ||
Corriente de polarización de entrada 20 → 500 nA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Serie NJM2058 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de offset de entrada 5 → 200 nA | ||
La New Japan Radio es un circuito integrado que es un amplificador operacional cuádruple de alta ganancia compensado internamente y construido en un único chip de silicio utilizando un proceso epitaxial avanzado.
Tecnología bipolar
Tensión de funcionamiento de ±4 V a ±18 V
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