STMicroelectronics AEC-Q101 Diodo Schottky Simple, STPSC12G065DY, 12 A, TO-220AC 650 V, 2 pines
- Código RS:
- 800-469
- Nº ref. fabric.:
- STPSC12G065DY
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 800-469
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Configuración de diodo | Simple | |
| Corriente directa máxima lf | 12A | |
| Tipo de producto | Diodo Schottky | |
| Tipo Sub | Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | TO-220AC | |
| Número de pines | 2 | |
| Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm | 650V | |
| Pico de corriente directa no repetitiva lfsm | 80A | |
| Tensión directa máxima Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Diámetro | 3.85mm | |
| Altura | 29.75mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Serie | STPSC12G065DY | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK2 | |
| Anchura | 4.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Configuración de diodo Simple | ||
Corriente directa máxima lf 12A | ||
Tipo de producto Diodo Schottky | ||
Tipo Sub Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado TO-220AC | ||
Número de pines 2 | ||
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm 650V | ||
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm 80A | ||
Tensión directa máxima Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Diámetro 3.85mm | ||
Altura 29.75mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Serie STPSC12G065DY | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK2 | ||
Anchura 4.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Rectificador Schottky de potencia de alto rendimiento de STMicroelectronics. Se fabrica utilizando un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky de VF baja con un valor nominal de 650 V.
Cualificado AEC-Q101 y apto para PPAP
Carga de recuperación inversa nula o insignificante en el rango de corriente de aplicación
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Alta capacidad de sobretensión hacia delante
Tj de funcionamiento de -55 °C a +175 °C
ECOPACK2: certificación de componente conforme a RoHS
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