onsemi Diodo PIN Simple, 100 mA, 80 V, X3-DFN2, 2 pines
- Código RS:
- 233-6852P
- Nº ref. fabric.:
- NSDP301MX3T5G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 150 - 360 | 0,107 € |
| 375 - 735 | 0,093 € |
| 750 - 1485 | 0,081 € |
| 1500 + | 0,075 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 233-6852P
- Nº ref. fabric.:
- NSDP301MX3T5G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Diodo PIN | |
| Configuración de diodo | Simple | |
| Corriente directa máxima lf | 100mA | |
| Tensión inversa máxima Vr | 80V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Capacitancia máxima | 0.33pF | |
| Encapsulado | X3-DFN2 | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia serie máxima @ If máximo | 1.3Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa máxima Vf | 0.81V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | NSDP301MX3 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Altura | 0.33mm | |
| Longitud | 0.66mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Diodo PIN | ||
Configuración de diodo Simple | ||
Corriente directa máxima lf 100mA | ||
Tensión inversa máxima Vr 80V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Capacitancia máxima 0.33pF | ||
Encapsulado X3-DFN2 | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia serie máxima @ If máximo 1.3Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa máxima Vf 0.81V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie NSDP301MX3 | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Altura 0.33mm | ||
Longitud 0.66mm | ||
Estándar de automoción No | ||
EL ON Semiconductor NSDP301MX3T5G es un diodo PIN único para atenuador e interruptor RF. Las características de RS baja permiten su uso en aplicaciones de alta frecuencia. Este diodo PIN está diseñado para conseguir diseños compactos y eficientes. El dispositivo está disponible en un encapsulado en miniatura X3DFN2 que permite a los diseñadores cumplir con la difícil tarea de lograr mayor eficiencia y satisfacer requisitos de espacio reducido.
Tiene una resistencia en serie baja de 1.3ꭥ típ
Tiene una capacitancia entre terminales pequeña típica de 0,33 pF
El dispositivo tiene menos componentes Parasiticos