Diodo, IDM02G120C5XTMA1, 2A, 1200V Schottky SiC, DPAK (TO-252-2), 2-Pines, Schottky SiC

Infineon CoolSiC™ Schottky de generación de diodo de 5 1.200 V, 2 A en un encapsulado DPAK real2pin, presenta una tecnología de vanguardia para diodos de barrera Schottky SiC. La tecnología de oblea fina, ya introducida con G2, se combina ahora con una nueva unión de pn combinada que mejora las capacidades de corriente de transitorios de diodo. El resultado es una serie de productos que ofrecen una eficiencia líder del mercado y mayor fiabilidad del sistema a un atractivo punto de coste.

Material semiconductor revolucionario: Carburo de silicio
Sin corriente de recuperación inversa / sin recuperación directa
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Tensión directa baja incluso a alta temperatura de funcionamiento
Distribución de tensión directa ajustada
Excelente rendimiento térmico
Capacidad de transitorios de corriente ampliada
Resistencia dv/dt especificada
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Chapado de cable sin plomo