Diodo, IDWD10G120C5XKSA1, 10A, 1200V Schottky SiC, TO-247, 2-Pines, Schottky SiC

Los diodos Schottky Infineon CoolSiC™ de 5 1.200 V y 10 A están ahora disponibles en un encapsulado real DE 2 contactos TO-247, para facilitar el intercambio de diodos Si bipolares que se utilizan habitualmente en la actualidad. Las distancias de separación y deslizamiento de 8,7 mm ampliadas del nuevo paquete ofrecen mayor seguridad en entornos de alta contaminación. Combinado con un IGBT Si o MOSFET de superunión, por ejemplo, en una etapa de rectificador o de impulso PFC de Viena utilizada en sistemas de conversión trifásicos, un diodo CoolSiC™ aumenta la eficiencia hasta un 1 % en comparación con la siguiente mejor alternativa de diodo Si.

Sin corriente de recuperación inversa, sin tensión de recuperación directa
Comportamiento de conmutación independiente de temperatura
Tensión directa baja incluso a alta temperatura de funcionamiento
Distribución de tensión directa ajustada
Alta capacidad de transitorio de corriente
Encapsulado de dos contactos real con distancias de separación y deslizamiento de 8,7 mm