Rectificador y diodo Schottky, IDL10G65C5XUMA2, 650V Schottky SiC, ThinPAK 8x8, Schottky SiC

El Infineon IDL10G65C5XUMA2 de generación 5 representa la tecnología de vanguardia de Infineon para los diodos de barrera Schottky SiC. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y una tecnología de oblea fina. El resultado es una nueva familia de productos que muestran una improvefficiencia en todas las condiciones de carga, como resultado de las características térmicas mejoradas y una menor cifra de mérito (QC x VF).

Material semiconductor revolucionario: Carburo de silicio
Comportamiento de conmutación de punto de referencia
Sin recuperación inversa/ Sin recuperación directa
Comportamiento de conmutación independiente de temperatura
Alta capacidad de transitorio de corriente
Chapado de cable sin plomo