onsemi Diodo de protección ESD 1, ESD7351XV2T1G, 150 mW, SOD-523, 2 pines
- Código RS:
- 838-610
- Nº ref. fabric.:
- ESD7351XV2T1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 838-610
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- ESD7351XV2T1G
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Diodo de protección ESD | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 5V | |
| Encapsulado | SOD-523 | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 3.3V | |
| Número de pines | 2 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 150mW | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 20A | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Tensión de sujeción VC | 10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Altura | 0.6mm | |
| Longitud | 1.2mm | |
| Anchura | 0.8mm | |
| Serie | ESD7351 | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 50nA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Diodo de protección ESD | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 5V | ||
Encapsulado SOD-523 | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 3.3V | ||
Número de pines 2 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 150mW | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 20A | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Tensión de sujeción VC 10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Altura 0.6mm | ||
Longitud 1.2mm | ||
Anchura 0.8mm | ||
Serie ESD7351 | ||
Corriente de fugas inversa máxima 50nA | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El diodo de protección ESD de onsemi está diseñado para proteger los componentes sensibles contra eventos de descarga electrostática, lo que garantiza la fiabilidad en aplicaciones de alta velocidad sin comprometer el espacio de la placa.
Proporciona una baja capacitancia de 0,6 pF máximo para un impacto mínimo en la integridad de la señal
Proporciona baja tensión de sujeción para proteger de manera eficiente contra corrientes de pico
Dispone de una tensión de separación de 3,3 V, adecuada para varios diseños electrónicos
Muestra un tiempo de respuesta rápido de menos de 1 ns para mitigar eficazmente los ESD
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