onsemi Diodo de protección ESD Bidireccional 4, 0.36 W, DFN, 8 pines
- Código RS:
- 162-9214
- Nº ref. fabric.:
- NUF2114MNT1G
- Fabricante:
- onsemi
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| 3000 + | 0,407 € | 1.221,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 162-9214
- Nº ref. fabric.:
- NUF2114MNT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Diodo de protección ESD | |
| Configuración de diodo | Conjunto | |
| Tipo de dirección | Bidireccional | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 13.7V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 12V | |
| Número de pines | 8 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 0.36W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Longitud | 2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 100nA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Diodo de protección ESD | ||
Configuración de diodo Conjunto | ||
Tipo de dirección Bidireccional | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 13.7V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado DFN | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 12V | ||
Número de pines 8 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 0.36W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Longitud 2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Corriente de fugas inversa máxima 100nA | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Filtro EMI con protección contra descargas electroestáticas, ON Semiconductor
Supresores de transitorios de tensión, ON Semiconductor
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