Diodo TVS Unidireccional, ESDA8P80-1U1M, 1100W, QFN, 2-Pines
- Código RS:
- 163-7317
- Nº ref. fabric.:
- ESDA8P80-1U1M
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 04/04/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 8000)
0,11 €
(exc. IVA)
0,13 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 8000 + | 0,11 € | 880,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 163-7317
- Nº ref. fabric.:
- ESDA8P80-1U1M
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Los dispositivos de protección de sobretensión de línea de alimentación de ST admiten aplicaciones como cajas de satélite (LNB), convertidores dc-dc de alta potencia y carriles de alimentación de telecomunicaciones. La serie ITA está optimizada para aplicaciones industriales, la serie SLVU y PEP01 para Ethernet o PoE, la serie STIEC45 es para carriles de alimentación dc
Capacidad para transitorios de corriente hasta 500 A
Amplia oferta de encapsulados, incluidos encapsulados de dispositivo de alta potencia y varias líneas
Dispositivos optimizados para compatibilidad con aplicaciones específicas
Amplia oferta de encapsulados, incluidos encapsulados de dispositivo de alta potencia y varias líneas
Dispositivos optimizados para compatibilidad con aplicaciones específicas
El ESDA8P80-1U1M es un diodo TVS de una línea unidireccional diseñado para proteger la línea de alimentación contra transitorios ESD y EOS. El dispositivo es ideal para aplicaciones en las que se necesita ahorro de espacio en la placa y TVS de alta potencia
Tensión de fijación baja
Potencia de impulso de pico típica:
1.100 W (8/20μs)
Tensión de aislamiento de 6,3 V
Diodo unidireccional
Corriente de fugas baja:
0,2 μA a 25 °C
Potencia de impulso de pico típica:
1.100 W (8/20μs)
Tensión de aislamiento de 6,3 V
Diodo unidireccional
Corriente de fugas baja:
0,2 μA a 25 °C
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Configuración de diodo | Array |
| Tipo de Dirección | Unidireccional |
| Tensión Residual Máxima | 13.2V |
| Tensión Mínima de Ruptura | 6.9V |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | QFN |
| Tensión de Corte Inversa Máxima | 6.3V |
| Conteo de Pines | 2 |
| Disipación de Potencia de Pulso de Pico | 1100W |
| Corriente de Pulsos de Pico Máxima | 80A |
| Protección ESD | Sí |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Dimensiones | 1.7 x 1.1 x 0.55mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Corriente de Fugas Inversa Máxima | 200nA |
| Corriente de Prueba | 1mA |
| Ancho | 1.1mm |
| Altura | 0.55mm |
| Longitud | 1.7mm |
- Código RS:
- 163-7317
- Nº ref. fabric.:
- ESDA8P80-1U1M
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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