STMicroelectronics Array de diodo TVS Bidireccional 4, 80 W, SOT-23, 6 pines
- Código RS:
- 168-5764
- Nº ref. fabric.:
- ESDA6V1-4BC6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 168-5764
- Nº ref. fabric.:
- ESDA6V1-4BC6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Array de diodo TVS | |
| Tipo de dirección | Bidireccional | |
| Configuración de diodo | Matriz compleja | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 6.1V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 3V | |
| Número de pines | 6 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 80W | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Altura | 1.3mm | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Anchura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 1μA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Array de diodo TVS | ||
Tipo de dirección Bidireccional | ||
Configuración de diodo Matriz compleja | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 6.1V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 3V | ||
Número de pines 6 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 80W | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Altura 1.3mm | ||
Longitud 3.05mm | ||
Anchura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Corriente de fugas inversa máxima 1μA | ||
Estándar de automoción No | ||
Array bidireccional para protección ESD Transil™, STMicroelectronics serie ESDA
Supresores de sobretensión transitoria, ST Microelectronics
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