onsemi AEC-Q101 Diodo TVS Unidireccional 2, SM05T1G, 300 W, SOT-23, 3 pines
- Código RS:
- 184-1447
- Nº ref. fabric.:
- SM05T1G
- Fabricante:
- onsemi
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- 184-1447
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- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Configuración de diodo | Ánodo común | |
| Tipo de dirección | Unidireccional | |
| Tipo de producto | Diodo TVS | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 6.2V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 5V | |
| Número de pines | 3 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 300W | |
| Tensión de sujeción VC | 9.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 17A | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.01mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 10μA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Configuración de diodo Ánodo común | ||
Tipo de dirección Unidireccional | ||
Tipo de producto Diodo TVS | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 6.2V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 5V | ||
Número de pines 3 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 300W | ||
Tensión de sujeción VC 9.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 17A | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Anchura 1.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.01mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Corriente de fugas inversa máxima 10μA | ||
- COO (País de Origen):
- CN
These dual monolithic silicon diodes are designed for applications requiring protection capability. They are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as computers, printers, business machines, communication systems, medical equipment and other applications. Their dual junction common anode design protects two separate lines using only one package. These devices are ideal for situations where board space is at a premium.
SOT–23 Package Allows Either Two Separate Unidirectional Configurations or a Single Bidirectional Configuration
Working Peak Reverse Voltage 5 V
Standard Zener Breakdown Voltage Range 6.2 V to 7.3 V
Peak Power – 300 Watt (8 X 20 μs)
Low Leakage
Mechanical Characteristics:
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case
FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 260 °C for 10 Seconds
Package designed for optimal automated board assembly
Small package size for high density applications. Available in 8 mm Tape and Reel.
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