STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional 4, DFN, 5 pines
- Código RS:
- 192-3834
- Nº ref. fabric.:
- HSP051-4M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 192-3834
- Nº ref. fabric.:
- HSP051-4M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Diodo TVS | |
| Tipo de dirección | Unidireccional | |
| Configuración de diodo | Conjunto | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 5.7V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 5V | |
| Número de pines | 5 | |
| Tensión de sujeción VC | 13.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 3A | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Longitud | 1.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.9mm | |
| Altura | 0.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 70nA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Diodo TVS | ||
Tipo de dirección Unidireccional | ||
Configuración de diodo Conjunto | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 5.7V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado DFN | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 5V | ||
Número de pines 5 | ||
Tensión de sujeción VC 13.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 3A | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Longitud 1.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.9mm | ||
Altura 0.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de fugas inversa máxima 70nA | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El HSP051-4M5 es un array ESD de 4 canales con una arquitectura de carril a carril diseñado específicamente para la protección de líneas diferenciales de alta velocidad. El dispositivo se suministra en μQFN 1,3 mm x 0,8 mm con un paso de 500 μm.
Paquete de 500 μm de paso muy compacto, para un diseño de PCB sencillo
Ancho de banda muy grande: 11,5 GHz
Capacitancia muy baja: 0,2 pF (E/S a E/S) y 0,35 pF (E/S a GND)
Resistencia dinámica muy baja: 0,35 Ω
Corriente de fuga baja:< 1 na
Alto nivel de protección contra ESD
Integración alta
Adecuado para placas de alta densidad
Rango extendido de temperaturas de unión de funcionamiento: De -40°C a 150°C
±20 kV (descarga de contacto)
±30 kV (descarga de aire)
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