Bourns AEC-Q101 Diodo TVS Bidireccional 1, TBU-CA025-050-WH-Q, DFN, 2 pines
- Código RS:
- 209-8045
- Nº ref. fabric.:
- TBU-CA025-050-WH-Q
- Fabricante:
- Bourns
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- Código RS:
- 209-8045
- Nº ref. fabric.:
- TBU-CA025-050-WH-Q
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- Bourns
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de dirección | Bidireccional | |
| Tipo de producto | Diodo TVS | |
| Configuración de diodo | Simple | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 7.5V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 2 | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de sujeción VC | 250V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Serie | TBU | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de dirección Bidireccional | ||
Tipo de producto Diodo TVS | ||
Configuración de diodo Simple | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 7.5V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 2 | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de sujeción VC 250V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Longitud 6.5mm | ||
Serie TBU | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Bourns TBU-CA025-050-WH-Q es un producto de protección de alta velocidad bidireccional sencilla de baja capacitancia, fabricado con tecnología de semiconductores MOSFET y diseñado para proteger contra fallos causados por cortocircuitos, cruce de potencia ac, inducción y transitorios producidos por relámpagos. La tensión de impulso Peak no disruptiva con una duración inferior a 10 ms es de 250 v.
Protección de circuito superior.
Protección contra sobrecorriente y sobretensión.
Bloquea transitorios hasta límites nominales.
Rendimiento de alta velocidad.
Encapsulado SMT pequeño.
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