Taiwan Semiconductor Diodo TVS Unidireccional 1, P6KE47A, 600 W, DO-15, 2 pines
- Código RS:
- 543-8680
- Nº ref. fabric.:
- P6KE47A
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 543-8680
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- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Configuración de diodo | Simple | |
| Tipo de producto | Diodo TVS | |
| Tipo de dirección | Unidireccional | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 40.2V | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | DO-15 | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 300V | |
| Número de pines | 2 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 600W | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 9.3A | |
| Tensión de sujeción VC | 64.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.56mm | |
| Altura | 3.56mm | |
| Longitud | 7.62mm | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 5μA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Configuración de diodo Simple | ||
Tipo de producto Diodo TVS | ||
Tipo de dirección Unidireccional | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 40.2V | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado DO-15 | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 300V | ||
Número de pines 2 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 600W | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 9.3A | ||
Tensión de sujeción VC 64.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.56mm | ||
Altura 3.56mm | ||
Longitud 7.62mm | ||
Corriente de fugas inversa máxima 5μA | ||
Estado RoHS: No cumple
Diodos TVS unidireccionales axiales de 600 W, serie P6KE, Fairchild Semiconductor
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