Array de diodo TVS Unidireccional, NUP4201DR2G, 500W, SOIC, 8-Pines
- Código RS:
- 802-4180
- Nº ref. fabric.:
- NUP4201DR2G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 100 - 240 | 0,565 € | 5,65 € |
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- Código RS:
- 802-4180
- Nº ref. fabric.:
- NUP4201DR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Dirección | Unidireccional | |
| Configuración de diodo | Matriz compleja | |
| Tensión Residual Máxima | 25V | |
| Tensión Mínima de Ruptura | 6V | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOIC | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Disipación de Potencia de Pulso de Pico | 500W | |
| Protección ESD | Sí | |
| Número de Elementos por Chip | 4 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Dimensiones | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Corriente de Prueba | 1mA | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Ancho | 4mm | |
| Corriente de Fugas Inversa Máxima | 10µA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Dirección Unidireccional | ||
Configuración de diodo Matriz compleja | ||
Tensión Residual Máxima 25V | ||
Tensión Mínima de Ruptura 6V | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOIC | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Disipación de Potencia de Pulso de Pico 500W | ||
Protección ESD Sí | ||
Número de Elementos por Chip 4 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Dimensiones 5 x 4 x 1.5mm | ||
Corriente de Prueba 1mA | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Ancho 4mm | ||
Corriente de Fugas Inversa Máxima 10µA | ||
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