ROHM Diodo simple PBZLTBR1150 150 °C 1000 mW 5 μA 250 Ω -55 °C Superficie 75 V 1 DO-214AA 2 pines Diodo zener 2 mA Plano
- Código RS:
- 780-373P
- Nº ref. fabric.:
- PBZLTBR1150
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 780-373P
- Nº ref. fabric.:
- PBZLTBR1150
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Configuración de diodo | Diodo simple | |
| Tipo de producto | Diodo zener | |
| Tensión Zener Vz | 75V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1000mW | |
| Encapsulado | DO-214AA | |
| Tipo de Zener | Plano de silicio | |
| Número de pines | 2 | |
| Corriente de prueba lt | 2mA | |
| Impedancia Zener máxima | 250Ω | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 5μA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.45mm | |
| Anchura | 3.94mm | |
| Longitud | 4.7mm | |
| Serie | PBZL Series | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Configuración de diodo Diodo simple | ||
Tipo de producto Diodo zener | ||
Tensión Zener Vz 75V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1000mW | ||
Encapsulado DO-214AA | ||
Tipo de Zener Plano de silicio | ||
Número de pines 2 | ||
Corriente de prueba lt 2mA | ||
Impedancia Zener máxima 250Ω | ||
Corriente de fugas inversa máxima 5μA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.45mm | ||
Anchura 3.94mm | ||
Longitud 4.7mm | ||
Serie PBZL Series | ||
Estándar de automoción No | ||
El diodo Zener de ROHM es un componente de alta fiabilidad diseñado para la regulación precisa de la tensión en circuitos electrónicos, lo que garantiza un funcionamiento estable en diversas aplicaciones.
La capacidad de disipación de potencia de 1000 mW admite un rendimiento robusto
La temperatura nominal de la unión de 150 °C garantiza la resistencia en condiciones exigentes
El tipo de moldeo de potencia pequeña ofrece una integración que ahorra espacio
Los valores nominales de impedancia dinámica mejoran la fiabilidad y la eficiencia del circuito