Disco duro SSD MTE662P Interno M.2 1 TB Transcend, TLC
- Código RS:
- 240-5462
- Nº ref. fabric.:
- TS1TMTE662P
- Fabricante:
- Transcend
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Transcend | |
| Tipo de producto | Disco duro SSD | |
| Tipo Sub | Disco duro SSD | |
| Número de modelo | MTE662P | |
| Tamaño de la memoria | 1TB | |
| Interno/externo | Interno | |
| Factor de forma | M.2 | |
| Grado industrial | No | |
| Tipo de NAND Flash | TLC | |
| Tipo de interfaz | PCIe Gen 3.0 x4 NVMe | |
| Autodestrucción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 80mm | |
| Certificaciones y estándares | CE | |
| Anchura | 22mm | |
| Altura | 3.88mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Transcend | ||
Tipo de producto Disco duro SSD | ||
Tipo Sub Disco duro SSD | ||
Número de modelo MTE662P | ||
Tamaño de la memoria 1TB | ||
Interno/externo Interno | ||
Factor de forma M.2 | ||
Grado industrial No | ||
Tipo de NAND Flash TLC | ||
Tipo de interfaz PCIe Gen 3.0 x4 NVMe | ||
Autodestrucción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 80mm | ||
Certificaciones y estándares CE | ||
Anchura 22mm | ||
Altura 3.88mm | ||
- COO (País de Origen):
- TW
Transcend Unidad de Estado Sólido, 1TB de Capacidad, M.2 Factor de Forma - TS1TMTE662P
Esta unidad de estado sólido está diseñada con una capacidad de 1 TB y un factor de forma M.2, proporcionando soluciones de almacenamiento de alto rendimiento para aplicaciones exigentes. Con unas dimensiones de 80 mm x 22 mm x 3,88 mm y un diseño ligero de sólo 9 g, se adapta perfectamente a varios dispositivos, mejorando sus capacidades de almacenamiento y su rendimiento general. La unidad utiliza la tecnología NVMe PCIe Gen 3 x4 para ofrecer velocidades de transferencia y eficiencia impresionantes.
Características y ventajas
• Las altas velocidades de lectura secuencial de hasta 3.400 MB/s mejoran el acceso a los datos
• Las escrituras alcanzan hasta 2.300 MB/s para transferencias rápidas de archivos
• La memoria caché DRAM integrada garantiza un procesamiento de datos más rápido
• La avanzada nivelación global del desgaste mejora la fiabilidad de la transmisión
• El bajo consumo de energía maximiza la eficiencia durante el funcionamiento
• Intelligent Power Shield protege los datos durante las interrupciones del suministro eléctrico
Aplicaciones
• Ideal para sistemas de automatización que requieren acceso a datos a alta velocidad
• Adecuado para entornos de juego con necesidades de almacenamiento exigentes
• Utilizado en electrónica para un tratamiento de datos fiable y rápido
• Para mecánicos que necesitan una sólida integridad de los datos
¿Qué ventajas aporta el uso de la tecnología 3D NAND?
La tecnología 3D NAND permite aumentar la densidad de almacenamiento apilando verticalmente 96 capas, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento en comparación con los diseños tradicionales de 64 capas.
¿Cómo contribuye la función Intelligent Power Shield a la seguridad de los datos?
El Escudo de Energía Inteligente protege contra la pérdida de datos durante cortes de energía inesperados, garantizando que la información crítica permanezca intacta, lo que es esencial para aplicaciones de misión crítica.
¿En qué rangos de temperatura puede funcionar este aparato?
La unidad admite un rango de temperatura de funcionamiento ampliado de -20 °C a 75 °C, lo que la hace adecuada para diversas condiciones ambientales, así como una amplia opción de temperatura de -40 °C a 85 °C para escenarios más extremos.
¿Cuál es el índice de resistencia de esta unidad de estado sólido?
El índice de resistencia es de 3.000 ciclos de programa/borrado, lo que le proporciona una vida útil más larga para operaciones intensivas de lectura y escritura, permitiendo un rendimiento óptimo a lo largo del tiempo.
¿Cómo afecta el tipo de NAND TLC al rendimiento?
El uso de la tecnología TLC NAND equilibra el rendimiento y la capacidad de almacenamiento, proporcionando rápidas velocidades de lectura y escritura al tiempo que mantiene la rentabilidad para las necesidades de alta capacidad.
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