Disco duro SSD MTS970T Interno M.2 (2280) 128 Gb Transcend, 3D TLC Sí
- Código RS:
- 262-9684
- Nº ref. fabric.:
- TS128GMTS970T
- Fabricante:
- Transcend
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Transcend | |
| Tipo de producto | Disco duro SSD | |
| Tipo Sub | Disco duro SSD | |
| Tamaño de la memoria | 128Gb | |
| Número de modelo | MTS970T | |
| Interno/externo | Interno | |
| Factor de forma | M.2 (2280) | |
| Grado industrial | Sí | |
| Tipo de NAND Flash | 3D TLC | |
| Tipo de interfaz | SATA III | |
| Autodestrucción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | CE, BSMI, UKCA, FCC, RoHS 2.0 | |
| Altura | 22mm | |
| Longitud | 80mm | |
| Anchura | 3.58mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Transcend | ||
Tipo de producto Disco duro SSD | ||
Tipo Sub Disco duro SSD | ||
Tamaño de la memoria 128Gb | ||
Número de modelo MTS970T | ||
Interno/externo Interno | ||
Factor de forma M.2 (2280) | ||
Grado industrial Sí | ||
Tipo de NAND Flash 3D TLC | ||
Tipo de interfaz SATA III | ||
Autodestrucción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares CE, BSMI, UKCA, FCC, RoHS 2.0 | ||
Altura 22mm | ||
Longitud 80mm | ||
Anchura 3.58mm | ||
Estado RoHS: No aplica
Transcend Unidad de Estado Sólido, 128GB de Capacidad, Interfaz SATA III - TS128GMTS970T
Esta unidad de estado sólido ofrece un sólido rendimiento y fiabilidad en un formato M.2 compacto. Con unas dimensiones de 80 x 22 x 3,58 mm, está diseñada para uso interno y alberga 112 capas de avanzada tecnología 3D NAND. Ideal para aplicaciones que requieren un almacenamiento de estado sólido estable y eficiente, este modelo admite una interfaz SATA III y es capaz de soportar rangos de temperatura extremos.
Características y ventajas
• la tecnología 3D TLC NAND mejora la eficiencia del almacenamiento
• La caché DRAM integrada facilita el acceso rápido a los datos
• Admite una amplia gama de temperaturas para uso industrial
• Ofrece resistencia para ciclos de programa/borrado de 3K
• El estrangulamiento térmico dinámico optimiza el rendimiento
• Equipado con LDPC ECC para corrección de errores
Aplicaciones
• Adecuado para sistemas integrados de automatización industrial
• Ideal para la informática de alto rendimiento en electrónica
• Diseñado para su uso en entornos difíciles que requieren fiabilidad
• Utilizado en sistemas mecánicos con uso intensivo de datos
¿Qué importancia tiene la tecnología 3D NAND utilizada en este dispositivo?
La tecnología 3D NAND permite un almacenamiento de datos más eficiente mediante el apilamiento de chips flash, lo que facilita una mayor densidad y mejora el rendimiento, haciéndola adecuada para tareas que requieren muchos recursos.
¿Cómo influye su amplio rango de temperaturas en su aplicación?
Su capacidad para funcionar entre -40 °C y 85 °C garantiza un rendimiento fiable en diversos entornos, por lo que resulta ideal para entornos industriales en los que las fluctuaciones de temperatura son habituales.
¿Cuáles son las características de consumo de energía durante el funcionamiento y el reposo?
Durante el funcionamiento activo, consume aproximadamente 4,1 vatios, mientras que en modo de reposo, el consumo disminuye a unos 2,8 vatios, lo que favorece la eficiencia energética y la longevidad.
¿Qué ventajas ofrece la caché DRAM integrada?
La memoria caché DRAM integrada aumenta la velocidad de lectura y escritura, lo que mejora significativamente la capacidad de respuesta general del sistema y garantiza que las aplicaciones puedan cargarse y ejecutarse eficientemente sin retrasos.
¿Cómo contribuye al rendimiento la función de ralentización térmica?
El estrangulamiento térmico dinámico ajusta automáticamente el rendimiento para evitar el sobrecalentamiento, lo que garantiza un funcionamiento estable bajo carga y mejora la fiabilidad general y la vida útil.
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