AEC-Q100 Driver de puerta MOSFET Si8275GBD-IM1, TTL 1,8 A, 4 A QFN 14 pines

Los dispositivos Si8275GBD-IM1 proporcionan opciones para UN A TRAVÉS de entradas VIB y controlador doble. El Si8275GBD-IM1, con su inmunidad al ruido de alto rendimiento, elimina el riesgo que suponen faster switching speeds. Los altos transitorios de ruido generados por la conmutación faster no afectan a la integridad de la señal a través del controlador, eliminando así el riesgo de pérdida de modulación. La especificación de bloqueo muy alta de 400 kV/μs convierte a los dispositivos Si8275GBD-IM1 en extremadamente robustos, lo que evita daños de enclavamiento permanente, y dispone de protección contra fallos UVLO, un circuito de desconexión para filtrar entradas ruidosas y programación de tiempo de desconexión (contacto DT) de alta precisión. Con esta función, los usuarios pueden controlar con precisión el "tiempo muerto" entre los dos controladores que cambian para optimizar la eficiencia y la seguridad del sistema. Los controladores funcionan con un amplio rango de entrada VDD de 2,5 V - 5,5 V y una tensión de alimentación de accionamiento máxima de 30 V.