Módulo accionador IGBT NCD57090EDWR2G, 6,5 A SOIC 8 pines

LA serie ON Semiconductor NCD57090E son controladores de puerta IGBT de un canal de alta corriente con aislamiento galvánico interno de 5 kVrms, diseñados para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa (NCD57090E). El NCD57090E admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3 V a 20 V.

Mejora la eficiencia del sistema
Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
Mejora la integridad de la señal PWM
Alta inmunidad electromagnética y a transitorios
Resistencia en aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta tensión de alta velocidad de subida rápida
Aislamiento galvánico en chip de 5 kVrms
Ahorra costes y espacio en la placa al tiempo que ofrece un rendimiento mejorado en comparación con los opto-drivers
Amplios rangos de tensión de polarización y rango de tensión de entrada
Ofrece flexibilidad de diseño del sistema y permite el uso de carriles de tensión de sistema disponibles habitualmente
Tensión de puerta negativa o tensión de cierre Miller activa o salidas divididas
Ofrece la opción de seleccionar la característica correcta en un encapsulado compacto