EEPROM M24C08-GCT6TP/T STMicroelectronics, 1 kB, 8, I2C, 4 pines WLCSP
- Código RS:
- 719-618
- Nº ref. fabric.:
- M24C08-GCT6TP/T
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-618
- Nº ref. fabric.:
- M24C08-GCT6TP/T
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tamaño de la memoria | 1kB | |
| Tipo de producto | EEPROM | |
| Tipo de interfaz | I2C | |
| Encapsulado | WLCSP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Organización | 1K x 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.8V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 1mm | |
| Anchura | 0.7mm | |
| Altura | 0.3mm | |
| Serie | M24C08 | |
| Almacenamiento de datos | 200año | |
| Corriente de suministro | 5mA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tamaño de la memoria 1kB | ||
Tipo de producto EEPROM | ||
Tipo de interfaz I2C | ||
Encapsulado WLCSP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Organización 1K x 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Tensión de alimentación máxima 1.8V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 1mm | ||
Anchura 0.7mm | ||
Altura 0.3mm | ||
Serie M24C08 | ||
Almacenamiento de datos 200año | ||
Corriente de suministro 5mA | ||
- COO (País de Origen):
- SG
La EEPROM de 8 Kbit de STMicroelectronics compatible con I2C (memoria de solo lectura programable borrable eléctricamente) está organizada como 1 K x 8 bits. Puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V ± 5% en un rango de temperatura ambiente de -40 °C/+85 °C, con una frecuencia de reloj máxima de 400 kHz. El producto ofrece E/S compatibles con 1,2 V, y se suministra en un encapsulado de 4 bolas de escala de chip de nivel de oblea.
Protección de bloqueo/ESD mejorada 3 kV (HBM)
Más de 4 millones de ciclos de escritura
Más de 200 años de retención de datos
Protección contra escritura por hardware de toda la matriz de memoria
Modos de lectura aleatoria y secuencial
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