AEC-Q100 EEPROM en serie 24CS512T-E/MS66KVAO Microchip, 512000 bit, 8, Serie, 8 pines MSOP
- Código RS:
- 724-723
- Nº ref. fabric.:
- 24CS512T-E/MS66KVAO
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 724-723
- Nº ref. fabric.:
- 24CS512T-E/MS66KVAO
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | EEPROM en serie | |
| Tamaño de la memoria | 512000bit | |
| Tipo de interfaz | Serie | |
| Encapsulado | MSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 3.4MHZ | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Serie | 24CS512 | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Almacenamiento de datos | 200año | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto EEPROM en serie | ||
Tamaño de la memoria 512000bit | ||
Tipo de interfaz Serie | ||
Encapsulado MSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 3.4MHZ | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.9mm | ||
Serie 24CS512 | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Almacenamiento de datos 200año | ||
- COO (País de Origen):
- TH
La EEPROM de 512 Kbit de Microchip es un dispositivo de memoria compacto no volátil diseñado para almacenamiento de datos fiable en aplicaciones integradas e industriales. Admite comunicación de alta velocidad de hasta 3,4 MHz, lo que permite un acceso rápido a los datos y un rendimiento eficiente del sistema. El dispositivo dispone de un ciclo de escritura de tiempo automático para un control simplificado e integra mejoras de reducción de ruido para garantizar un funcionamiento estable en entornos eléctricamente exigentes.
Admite una capacidad de memoria no volátil de 256 kbit
Admite funcionamiento de modo de alta velocidad de hasta 3,4 MHz
Incluye ciclo de escritura interno con temporización automática
Ofrece control de pendiente de salida para reducir el rebote de tierra
Integra entradas de disparador de Schmitt para mejorar la inmunidad al ruido
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