Nº ref. fabric.

EEPROM 24CS256T-I/SN Microchip, 256 kB, 32768 x, 8, I2C de 2 cables, 5 ms, 8 pines SOIC

Código RS:: 734-428
Nº ref. fabric.:: 24CS256T-I/SN
Fabricante:: Microchip

EEPROM 24CS256T-I/SN Microchip, 256 kB, 32768 x, 8, I2C de 2 cables, 5 ms, 8 pines SOIC

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Código RS:: 734-428
Nº ref. fabric.:: 24CS256T-I/SN
Fabricante:: Microchip

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	EEPROM
	Tamaño de la memoria	256kB
	Tipo de interfaz	I2C de 2 cables
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Frecuencia del reloj máxima	3.4MHZ
	Tensión de alimentación mínima	1.7V
	Número de bits por palabra	8
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Serie	24CS
	Corriente de suministro	1μA
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	5ms
	Almacenamiento de datos	200año
	Estándar de automoción	No
	Número de palabras	32768

	Seleccionar todo
	Tipo de producto EEPROM
	Tamaño de la memoria 256kB
	Tipo de interfaz I2C de 2 cables
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Frecuencia del reloj máxima 3.4MHZ
	Tensión de alimentación mínima 1.7V
	Número de bits por palabra 8
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Serie 24CS
	Corriente de suministro 1μA
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ms
	Almacenamiento de datos 200año
	Estándar de automoción No
	Número de palabras 32768

Datasheet - 24CS256T-I/SN

COO (País de Origen):: TH

La EEPROM de Microchip es una solución de memoria de alta densidad diseñada para un almacenamiento de datos fiable. Su función principal es proporcionar un acceso y retención eficientes de grandes conjuntos de datos en entornos compactos.

Ofrece una organización de bits de 256K para una gestión de datos versátil

Garantiza velocidades de lectura y escritura rápidas para maximizar el rendimiento

Admite un amplio rango de tensión para mejorar la compatibilidad

Dispone de encapsulado SOIC para un uso eficiente del espacio

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