Nº ref. fabric.

AEC-Q100 EEPROM STMicroelectronics, 8 kB, 1K x, 8, Serie I2C, 900 ns, 8 pines UFDFPN

Código RS:: 190-6762
Nº ref. fabric.:: M24C08-RMC6TG
Fabricante:: STMicroelectronics

AEC-Q100 EEPROM STMicroelectronics, 8 kB, 1K x, 8, Serie I2C, 900 ns, 8 pines UFDFPN

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Código RS:: 190-6762
Nº ref. fabric.:: M24C08-RMC6TG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tamaño de la memoria	8kB
	Tipo de producto	EEPROM
	Tipo de interfaz	Serie I2C
	Encapsulado	UFDFPN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Frecuencia del reloj máxima	400kHz
	Tensión de alimentación mínima	1.8V
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Número de bits por palabra	8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.1mm
	Número de palabras	1K
	Almacenamiento de datos	200año
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	900ns
	Corriente de suministro	1mA
	Estándar de automoción	AEC-Q100

	Seleccionar todo
	Tamaño de la memoria 8kB
	Tipo de producto EEPROM
	Tipo de interfaz Serie I2C
	Encapsulado UFDFPN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Frecuencia del reloj máxima 400kHz
	Tensión de alimentación mínima 1.8V
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Número de bits por palabra 8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.1mm
	Número de palabras 1K
	Almacenamiento de datos 200año
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 900ns
	Corriente de suministro 1mA
	Estándar de automoción AEC-Q100

Datasheet M24C08-RMC6TG

Compatible con los modos de bus I2C:

400 kHz

100 kHz

Matriz de memoria:

8 Kbit (1 Kbyte) de la memoria EEPROM

Tamaño de página: 16 bytes

Tensión de alimentación única:

M24C08-W: 2,5 V A 5,5 V.

M24C08-R: 1,8 V A 5,5 V.

M24C08-F: 1,7 V a 5,5 V (rango de temperatura completo) y 1,6 V a 1,7 V (rango de temperatura limitado)

Escribir:

Escritura de byte en 5 ms

Escritura de página en 5 ms

Rango de temperaturas de funcionamiento:

De -40 °C a +85 °C.

Modos de lectura aleatoria y secuencial

Protección contra escritura de toda la matriz de memoria

Protección mejorada contra ESD/Latch-Up

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Más de 200 años de retención de datos

Paquetes

Libre de halógenos

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