AEC-Q100 EEPROM M24C16-WDW6TP STMicroelectronics, 16 kB, 2K x, 8, Serie I2C, 900 ns, 8 pines TSSOP
- Código RS:
- 190-6764
- Nº ref. fabric.:
- M24C16-WDW6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 190-6764
- Nº ref. fabric.:
- M24C16-WDW6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tipo de producto | EEPROM | |
| Tamaño de la memoria | 16 kB | |
| Número de palabras | 2K | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 900 ns | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | TSSOP | |
| Almacenamiento de datos | 200 año | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tipo de producto EEPROM | ||
Tamaño de la memoria 16 kB | ||
Número de palabras 2K | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tipo de interfaz Serie I2C | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 900 ns | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado TSSOP | ||
Almacenamiento de datos 200 año | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
The M24C16 is a 16-Kbit I2C-compatible EEPROM (Electrically Erasable PROgrammable Memory) organized as 2 K x 8 bits.
Compatible with all I2C bus modes:
400 kHz
100 kHz
Memory array:
16 Kbit (2 Kbyte) of EEPROM
Page size: 16 byte
Single supply voltage:
M24C16-W: 2.5 V to 5.5 V
M24C16-R: 1.8 V to 5.5 V
M24C16-F: 1.7 V to 5.5 V (full temperature range) and 1.6 V to 1.7 V (limited temperature range)
Write:
Byte Write within 5 MS
Page Write within 5 MS
Operating temperature range:
from -40 °C up to +85 °C
Random and sequential Read modes
Write protect of the whole memory array
Enhanced ESD/Latch-Up protection
More than 4 million Write cycles
More than 200-years data retention
Packages
PDIP8
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
UFDFPN5
Unsawn wafer (each die is tested)
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