Nº ref. fabric.

AEC-Q100 EEPROM M24C32-FMC6TG STMicroelectronics, 32 kB, 4K x, 8, Serie I2C, 450 ns, 8 pines UFDFPN

Código RS:: 190-7664
Nº ref. fabric.:: M24C32-FMC6TG
Fabricante:: STMicroelectronics

AEC-Q100 EEPROM M24C32-FMC6TG STMicroelectronics, 32 kB, 4K x, 8, Serie I2C, 450 ns, 8 pines UFDFPN

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Código RS:: 190-7664
Nº ref. fabric.:: M24C32-FMC6TG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tamaño de la memoria	32kB
	Tipo de producto	EEPROM
	Tipo de interfaz	Serie I2C
	Encapsulado	UFDFPN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Frecuencia del reloj máxima	1MHZ
	Tensión de alimentación mínima	1.7V
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Número de bits por palabra	8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Certificaciones y estándares	RoHS 2011/65/EU
	Altura	0.6mm
	Serie	M24C32-F
	Longitud	2.1mm
	Número de palabras	4K
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Almacenamiento de datos	200año
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	450ns
	Corriente de suministro	2.5mA

	Seleccionar todo
	Tamaño de la memoria 32kB
	Tipo de producto EEPROM
	Tipo de interfaz Serie I2C
	Encapsulado UFDFPN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Frecuencia del reloj máxima 1MHZ
	Tensión de alimentación mínima 1.7V
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Número de bits por palabra 8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Certificaciones y estándares RoHS 2011/65/EU
	Altura 0.6mm
	Serie M24C32-F
	Longitud 2.1mm
	Número de palabras 4K
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Almacenamiento de datos 200año
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 450ns
	Corriente de suministro 2.5mA

Datasheet M24C32-FMC6TG

Compatible con todos los modos de bus I2C:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Matriz de memoria:

32 Kbit (4 Kbyte) de la memoria EEPROM

Tamaño de página: 32 bytes

Página adicional con bloqueo de escritura

Tensión de alimentación única:

1,7 V a 5,5 V por encima de –40 °C / +85 °C.

1,6 V a 5,5 V por encima de –20 °C / +85 °C.

Escribir:

Escritura de byte en 5 ms

Escritura de página en 5 ms

Modos de lectura aleatoria y secuencial

Protección contra escritura de toda la matriz de memoria

Protección mejorada contra ESD/Latch-Up

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Más de 200 años de retención de datos

Paquetes

PDIP8

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

UFDFPN5

Oblea Unsawn (cada dado se prueba)

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