AEC-Q100 EEPROM en serie M24C01-RMN6TP STMicroelectronics, 1 kB, 128k x, 8, Serie I2C, 900 ns, 8 pines SO-8
- Código RS:
- 239-6311
- Nº ref. fabric.:
- M24C01-RMN6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 239-6311
- Nº ref. fabric.:
- M24C01-RMN6TP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tamaño de la memoria | 1kB | |
| Tipo de producto | EEPROM en serie | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 400kHz | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.8V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 0.55mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | M24C01 | |
| Número de palabras | 128k | |
| Almacenamiento de datos | 200año | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 900ns | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tamaño de la memoria 1kB | ||
Tipo de producto EEPROM en serie | ||
Tipo de interfaz Serie I2C | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 400kHz | ||
Tensión de alimentación mínima 1.8V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 0.55mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie M24C01 | ||
Número de palabras 128k | ||
Almacenamiento de datos 200año | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 900ns | ||
La EEPROM STMicroelectronics es una EEPROM compatible con I2C de 1 Kbits organizada como 128 x 8 bits. Se puede acceder a ella con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V.
Compatible con los modos de bus I2C de 400 kHz y 100 kHz
Matriz de memoria: EEPROM de 1 Kbit y 128 bytes y EEPROM de 2 Kbit y 256 bytes
Tensión de alimentación única de 1,8 V a 5,5 V.
Escritura de bytes en 5 ms
Escritura de página en 5 ms
Rango de temperaturas de funcionamiento de -40 °C a +85 °C.
Protección contra escritura de toda la matriz de memoria
Protección contra ESD/bloqueo mejorada
Más de 4 millones de ciclos de escritura
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