AEC-Q100 EEPROM en serie STMicroelectronics, 64 kB, 8K x, 8, Serie I2C, 450 ns, 5 pines UFDFPN

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Código RS:
239-6327
Nº ref. fabric.:
M24C64-FMH6TG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Tamaño de la memoria

64kB

Tipo de producto

EEPROM en serie

Tipo de interfaz

Serie I2C

Encapsulado

UFDFPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Frecuencia del reloj máxima

1MHZ

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

M24C64-F

Altura

0.55mm

Longitud

1.7mm

Almacenamiento de datos

200año

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tiempo de acceso aleatorio máximo

450ns

Número de palabras

8K

EEPROM de bus I2C serie de 64 Kbit


Descripción


El M24C64 es una EEPROM (memoria programable borrable eléctricamente) compatible con I2C de 64 Kbit organizada como 8K x 8 puntas.

En un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C, el M24C64-W puede funcionar con una tensión de alimentación de 2,5 V a 5,5 V, el M24C64-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V, y el M24C64-F y el M24C64-DF pueden funcionar con una tensión de alimentación de 1,7 V a 5,5 V (el M24C64-F también puede funcionar hasta 1,6 V, en algunas condiciones restrictivas).

El M24C64-D ofrece una página adicional, denominada página de identificación (32 bytes). La página de identificación se puede utilizar para almacenar parámetros de aplicación sensibles que se pueden (posteriormente) bloquear permanentemente en modo de solo lectura.

Características


Compatible con los siguientes I2Modos de bus C:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Matriz de memoria:

64 Kbit (8 Kbytes) de EEPROM

Tamaño de página: 32 byte

Página bloqueable de escritura adicional (códigos de pedido M24C64-D)

Tensión de alimentación simple:

1,7 V a 5,5 V sobre –40 °C / +85 °C

1,6 V a 5,5 V a 0 °C / +85 °C

Escribir:

Byte de escritura dentro de 5 ms

Escribir la página en un plazo de 5 ms

Modos de lectura aleatoria y secuencial

Protección de escritura de toda la matriz de memoria

Protección de bloqueo/ESD mejorada

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Más de 200 años de retención de datos

Encapsulados

SO8N (ECOPACK2)

TSSOP8 (ECOPACK2)

UFDFPN (ECOPACK2)

WLCSP (ECOPACK2)

Oblea sin serrar (cada matriz se prueba)

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