AEC-Q100 Memoria EEPROM serie 25LC512-E/SM Microchip, 512kB, 64k x, 8bit, Serie SPI, 50ns, 8 pines SOIJ

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Código RS:
823-7651
Nº ref. fabric.:
25LC512-E/SM
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tamaño de la Memoria

512kB

Tipo de Interfaz

Serie SPI

Tipo de Encapsulado

SOIJ

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Organización

64K x 8 bits

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2,5 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5,5 V

Tensión de Programación

2.5 → 5.5V

Número de Bits de Palabra

8bit

Dimensiones

5.26 x 5.24 x 1.98mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+125 °C

Número de Palabras

64k

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Data Retention

200año

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

50ns

COO (País de Origen):
TH

EEPROM serie SPI 25AA512/25LC512


La familia de dispositivos 25AA512/25LC512 de Microchip son EEPROM serie SPI de 32 Kbits, disponibles con muchas opciones de fuente de alimentación, temperatura y encapsulado. Incorpora funciones de borrado de página, sector y chip típicamente asociadas con productos basados en Flash.

La interfaz periférica serie (SPI) se utiliza para proporcionar las señales de entrada de reloj (SCK), entrada de datos (SI) y salida de datos (SO) necesarias. El funcionamiento de estos dispositivos se puede pausar a través de un contacto de retención (HOLD) que hace que se ignoren las entradas excepto las interrupciones de mayor prioridad definidas a través del contacto de selección de chip (CS).

Características


Velocidad de reloj máxima: 20 MHz
Operaciones de escritura de nivel de byte y página (5 ms máximo): no se requiere borrado de página o sector
Página de 128 bytes
Corriente de escritura máxima: 5 mA a 5,5 V, 20 MHz
Corriente de lectura: 10 mA a 5,5 V, 20 MHz
Corriente en standby: 1 μA a 2,5 V (desconexión profunda)
Firma electrónica para ID del dispositivo
Ciclos de borrado y escritura autocronometrados: borrado de página (5 ms típico), borrado de sector (10 ms/sector, típico) y borrado masivo (10 ms, típico)
Protección contra escritura de sector (16K bytes/sector): proteger nada, 1/4, 1/2 o toda la matriz
Protección contra escritura integrada: circuitos de protección de datos de encendido/apagado, cierre de activación de escritura, contacto de protección contra escritura
Duración: 1 millón de ciclos de borrado/escritura
Retención de datos: >200 años
Protección contra ESD: >4.000 V


Acceso serie de EEPROM - Microchip

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