Memoria EEPROM borrable UV M27C512-70XF1, 512kbit, 64K x 8 bits, 70ns, CFDIP W 28 pines
- Código RS:
- 714-7660
- Nº ref. fabric.:
- M27C512-70XF1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible
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- Código RS:
- 714-7660
- Nº ref. fabric.:
- M27C512-70XF1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tamaño de la Memoria | 512kbit | |
| Organización | 64K x 8 bits | |
| Tipo de Interfaz | Paralelo | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 70ns | |
| Tensión de Programación | 12.75V | |
| Técnica de Reprogramación | UV | |
| Programabilidad en Sistema | Externo, en el sistema | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Encapsulado | CFDIP W | |
| Conteo de Pines | 28 | |
| Dimensiones | 37.34 x 13.36 x 4.5mm | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0 °C | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica | 5 V | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,75 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +70 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tamaño de la Memoria 512kbit | ||
Organización 64K x 8 bits | ||
Tipo de Interfaz Paralelo | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 70ns | ||
Tensión de Programación 12.75V | ||
Técnica de Reprogramación UV | ||
Programabilidad en Sistema Externo, en el sistema | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Encapsulado CFDIP W | ||
Conteo de Pines 28 | ||
Dimensiones 37.34 x 13.36 x 4.5mm | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 5,25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0 °C | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica 5 V | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 4,75 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +70 °C | ||
EPROM UV, STMicroelectronics
EPROM UV (ultravioleta)
Estos dispositivos incorporan una ventana de cuarzo, por lo que se puede borrar fácilmente el contenido de la memoria haciendo incidir sobre el chip una luz ultravioleta (UV) intensa de longitud de onda adecuada. El dispositivo puede reprogramarse a continuación utilizando un programador adecuado. Consulte la sección Programadores y Borradores.
