Fototransistor Vishay VEMT Radiación de infrarrojos visible, Radiación de infrarrojos cercanos 60 °, corriente Ic 50 mA,

Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
257-6913
Nº ref. fabric.:
VEMT3700F-GS08
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

Fototransistor

Espectros detectados

Radiación de infrarrojos visible, Radiación de infrarrojos cercanos

Tiempo de caída típico

2μs

Longitud de onda máxima

950nm

Tiempo de subida típico

6μs

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Corriente a plena luz máxima

50mA

Corriente en la oscuridad máxima

200nA

Ángulo de media sensibilidad

60 °

Número de pines

2

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

Montaje superficial

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

100°C

Longitud

3.5mm

Anchura

2.8mm

Altura

1.75mm

Corriente de colector

50mA

Certificaciones y estándares

No

Tensión colector-emisor

70V

Estándar de automoción

No

Tensión emisor-colector

5V

Serie

VEMT

El fototransistor NPN de silicio de Vishay es un fototransistor planar epitaxial NPN de silicio de alta velocidad en un encapsulado PLCC-2 en miniatura para montaje superficial en placas impresas. El dispositivo es sensible a la radiación visible y cercana a infrarrojos.

Alta fotosensibilidad

Alta sensibilidad radiante

Adecuado para radiación visible y cercana a infrarrojos

Tiempos de respuesta rápidos

Ángulo de media sensibilidad: φ = ± 60°

La ranura del encapsulado indica el colector

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