Fototransistor NPN ams OSRAM SIDELED sensible a IR, rango onda λ 750 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. SMD,

Código RS:: 665-5423P
Nº ref. fabric.:: SFH 325 FA-3-Z
Fabricante:: ams OSRAM

Fototransistor NPN ams OSRAM SIDELED sensible a IR, rango onda λ 750 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. SMD,

Producto Descatalogado

Código RS:: 665-5423P
Nº ref. fabric.:: SFH 325 FA-3-Z
Fabricante:: ams OSRAM

SFH 325 FA Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package Data Sheet

Atributo	Valor
Espectros Detectados	Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico	7µs
Tiempo de Subida Típico	7µs
Número de Canales	1
Corriente de Luz Máxima	50µA
Corriente de Oscuridad Máxima	50nA
Ángulo de Sensibilidad Media	120 °
Polaridad	NPN
Número de Pines	2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Encapsulado	PLCC
Dimensiones	4.2 x 4.2 x 3.8mm
Corriente del Colector	15mA
Rango Espectral de Sensibilidad	750 → 1120 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada	750nm
Máxima Longitud de Onda Detectada	1120nm
Altura	3.8mm
Anchura	4.2mm
Longitud	4.2mm
Serie	SIDELED

Fototransistor NPN ams OSRAM SIDELED sensible a IR, rango onda λ 750 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. SMD,

Fototransistor con encapsulado SIDELED®